أعلنت شركة SK hynix الكورية الجنوبية مؤخراً عن تطويرها لأول شريحة ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية DDR5 بسعة 16 غيغابايت من الجيل السادس، ومثلها مثل الجيل السابق تم تصنيعها بدقة 10 نانومتر، لكنها تعتمد تقنية جديدة تسمى 1c بدلا من 1b السابقة، تتيح هذه التقنية وضع عدد أكبر من الترانزستورات في نفس الحجم، كما استخدمت مواد جديدة وحسنت عملية الأشعة فوق البنفسجية القصوى (EUV)، مما أدى لخفض استهلاك الذاكرة للطاقة حوالي 9% وزادت سرعتها حوالي 11% مقارنة بالجيل السابق، كما قلل تكاليف الإنتاج.

وتقول الشركة أن هذه التحسينات قد توفر في استهلاك الطاقة الكلي في مراكز البيانات بنسبة 30%.

تعتبر SK hynix من مزودي شرائح الذاكرة إنفيديا التي تستخدم في عمليات الذكاء الاصطناعي والتي غالباً ما تكون من نوع HBM وتقول الشركة أنها ستعمل على تصنيع باقي أنواع ذواكرها بهذه التقنية مما يقلل تكاليف مصانع الذكاء الاصطناعي من الطاقة ويزيد إنتاجيتها.

في وقت سابق من هذا العام أعلنت سامسونغ عن تطوير ذواكر DDR5 بتقنية 1c وستبدأ الشركتان الإنتاج في هذا العام، لكن SK hynix تعتبر أن التحسينات الإضافية التي قامت بها على عملية التصنيع تجعل من ذواكرها أكثر كفاءة.