وفقاً لوكالة رويترز وعدة وسائل إعلام، تعمل مجموعة هوا هونغ (Hua Hong Group)، وهي ثاني أكبر صانع للرقائق في الصين بعد شركة SMIC، على إطلاق خط إنتاج لتصنيع الشرائح الإلكترونية بتقنية 7 نانومتر، لتصبح بذلك الشركة الثانية في الصين التي تصنع رقائق بهذه التقنية المتقدمة.

وحتى وقت قريب، كانت شركة SMIC – أكبر صانع للرقائق في الصين – هي المنتج المحلي الوحيد القادر على صنع رقائق بتقنية 7 نانومتر.

لم تتمكن رويترز من معرفة كيف حققت هوا هونغ هذه القدرة التصنيعية المتقدمة، أو مستوى كفاءتها التصنيعية، أو من هم كبار موردي المعدات الذين شاركوا في هذا التطوير. لكن بعض المصادر تشير إلى أن عملاق التكنولوجيا الصيني هواوي يتعاون مع صانع الرقائق في تطوير تقنيات 7 نانومتر. ولم ترد مجموعة هوا هونغ أو شركة هواوي على طلبات التعليق.

وتتولى مهام هذا التطور شركة هوالي للإلكترونيات الدقيقة (Huali Microelectronics)، وهي وحدة التصنيع الأساسية التابعة لمجموعة هوا هونغ. وقد بدأت أبحاث وتطوير شركة هوالي لرقائق 7 نانومتر في مصنعها (Hua Hong Fab 6) العام الماضي، بدعم من موردي المعدات المحليين، بما في ذلك شركة SiCarrier المدعومة من هواوي، والتي اختبرت معداتها في منشأة في شنجن العام الماضي بحسب مصدر منفصل. ولم ترد SiCarrier على طلب للتعليق.

وتخطط هوالي لبلوغ قدرة إنتاجية أولية لرقائق 7 نانومتر تصل إلى بضعة آلاف من شرائح السيليكون شهرياً بحلول نهاية العام، مع هدف زيادة الإنتاج لاحقاً، وفقاً لمصادر.

وقال أحد المصادر إن شركة بيرين (Biren) الصينية، المتخصصة في تصميم وحدات المعالجة الرسومية (GPU)، تستخدم خط إنتاج 7 نانومتر الخاص بشركة هوالي لعملية إنتاج النماذج الأولية (Tape-out)، وهي مرحلة يتم فيها تحويل تصميم الرقاقة إلى نموذج أولي مادي للاختبار قبل بدء الإنتاج الضخم. ويأتي لجوء بيرين إلى هذا المصنع بعد إدراجها في القائمة السوداء التجارية الأمريكية في عام 2023، مما أفقدها إمكانية الوصول إلى خدمات التصنيع التعاقدية من شركة TSMC التايوانية بعد فترة وجيزة. ولم ترد بيرين على طلبات التعليق.

يُذكر أن مصنع (Hua Hong Fab 6) يُعد الأكثر تقدماً من بين سبعة مسابك تابعة لمجموعة هوا هونغ، ويقوم حالياً بتصنيع رقائق منطقية باستخدام تقنيتي 22 نانومتر و28 نانومتر، وفقاً للموقع الإلكتروني للشركة. في المقابل، ينتج مصنعها (Fab 5) رقائق باستخدام تقنيات أقدم (ناضجة) تتراوح بين 40 نانومتر إلى 55 نانومتر.